碲化鉍介紹 碲化鉍塊的晶格常數為1.0473nm,由共價鍵結合,有一定離子鍵成分,半導體材料,為間接帶隙半導體,室溫禁帶寬度0.145eV,電子和空穴遷移率分別為0.135和4.4×10-2m2/(V·s),溫差電優質系數1.6×10-3/K,為良好的溫差材料。具有較好的導電性,采用布里奇曼法、區域熔煉法、直拉法制備。碲化鉍塊P型:碲化鉍塊摻銻(dopedAntimony),碲化鉍塊N型:碲化鉍塊摻硒(doped Selenium),形成P/N節用于半導體制冷,溫差發電等。 碲化鉍用途 碲化鉍塊主要用于形成P/N節用于半導體制冷,碲化鉍塊主要用于溫差發電等。 |