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硒化物靶材
分子式: Cu2Se，Bi2Se3，In2Se3，Ga2Se3
CAS號: 7446-08-4
EINECS號: 231-957-4
純度: 99.99％min
尺寸: 50mm-300mm
熔點: 217°C
沸點: 684.9°C
交貨時間: 7-10天
供應能力: 200KG /月
EMAILL:santech@santechchem.com
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硒化物靶材介紹硒化物包括硒化銦，硒化鎘，硒化鋅，硒化鉍，硒化鍺，硒化鉬等。硒元素沸點只有684.9攝氏度，在生產硒化合物和靶材中，因其他金屬元素熔點多高于硒的沸點，以及靶材工藝中的高溫熱壓等工藝下，硒元素極易揮發，為了精確控制硒化合物中的硒含量和化合物性能，是所有生產硒化合物材料企業必須解決的技術難題。盛特新材專業生產高質量的硒化物材料和靶材，主要應用于磁控濺射，半導體摻雜，化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）顯示器和光學應用。硒化物靶材主要包括硒化鉍Bi2Se3，硒碲化鉍BiSeTe，硒化鎘CdSe，硒碲化鎘CdTeSe，硒化銅鎵CuGaSe2，硒化銅CuSe，二硒化銅CuSe2，銅銦鎵硒CuIn0.7Ga0.3Se2，硒化銅銦CuInSe2，硒化銅鋅錫CuZnSnSe，硒砷化鎵GaAsSe， 三硒化二鎵Ga2Se3，一 硒化鍺GeSe，二硒化鍺GeSe2，三硒化二鍺Ge2Se3，鍺碲硒GeTeSe，一硒化銦InSe，三硒化二銦In2Se3，二硒化鉬MoSe2，三硒化二銻Sb2Se3，硒化鋅ZnSe等。 硒化物靶材應用硒化物靶材如硒化物包括硒化銦，硒化鎘，硒化鋅，硒化鉍，硒化鍺，硒化鉬等，主要用于光電材料的磁控濺射，蒸發鍍膜，半導體材料摻雜等。 硒化物靶材優勢● 純度高，可達99.999％，比例精準，靶材致密度高； |
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